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CEL - NE662M04-A - TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 - NE662M04A
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NE662M04-A
库存编号:NE662M04-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL) RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT-343F0
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NE662M04-A
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California Eastern Laboratories (CEL)

RF Bipolar Transistors NPN High Frequency

RoHS: Compliant

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2SC5508-A
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California Eastern Laboratories (CEL)

RF Bipolar Transistors NPN Silicon 25GHz NF 1.1dB

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NE662M04-A|CALIFORNIA EASTERN LABORATORIESNE662M04-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
NE662M 系列 25 GHz 35 mA 115 W NPN 高频 晶体管 - SOT-343
Rohs

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NE662M04-A|CELNE662M04-A
CEL
TRANSISTOR NPN 2GHZ M04
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NE662M04-A|CALIFORNIA EASTERN LABORATORIESNE662M04-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
NE662M 系列 25 GHz 35 mA 115 W NPN 高频 晶体管 - SOT-343
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NE662M04-A|CELNE662M04-A
CEL
TRANSISTOR NPN 2GHZ M04
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NE662M04-A|CEL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NE662M04-A
制造商型号: NE662M04-A
制造商: CEL
描述: TRANSISTOR NPN 2GHZ M04
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NE662M04
RF Wireless Brochure
产品相片 M04 PKG
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭RF 晶体管 (BJT)
系列-
包装  散装  
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)3.3V
频率 - 跃迁25GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
增益20dB
功率 - 最大值115mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)50 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)35mA
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-343F
供应商器件封装M04
产品目录页面576 (CN2011-ZH PDF)
其它名称NE662M04A

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