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VISHAY - TN0200K - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23 - TN0200K
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TN0200K|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
TN0200K
制造商型号： TN0200K
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 730mA
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 400mohm
  • 功耗, Pd: 35W
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SMD标号: K2ywl
  • 功耗, Pd: 35W
  • 功耗, Pd: 350mW
  • 封装/箱盒: SOT-23 (TO-236)
  • 带子宽度: 8mm
  • 总功率, Ptot: 350mW
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 电流, Idm 脉冲: 4A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1V
产地： PH Philippines

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