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VISHAY - SUP60N06-12P-GE3 - N沟道 60V (漏-源) MOSFET TO 220 - SUP60N0612PGE3
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SUP60N06-12P-GE3
制造商型号： SUP60N06-12P-GE3
制造商： VISHAY
描述： N沟道 60V (漏-源) MOSFET TO 220
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.012 Ω
  • Qg Gate Charge: 55 nC
  • Rated Power Dissipation: 100 W

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