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VISHAY - SQS460EN-T1-GE3 - 单 N 沟道 60 V 0.040 Ohms 表面贴装 功率 MOSfet - 功率PAK-1212-8 - SQS460ENT1GE3
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型号 制造商 描述 操作
SQS460EN-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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SQS460EN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 8A 39W

RoHS: Compliant

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SQS460EN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant

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SQS460EN-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SQS460EN-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SQS460EN-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SQS460EN-T1_GE3)

RoHS: Not Compliant

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SQS460EN-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SQS460EN-T1_GE3)

RoHS: Compliant

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SQS460EN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

N-CHANNEL 60V PPAK 1212

RoHS: Compliant

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N-CHANNEL 60V PPAK 1212

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Single N-Channel 60 V 0.040 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SQS460EN-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 60 V 0.040 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SQS460EN-T1-GE3
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MOSFET 60V 8A 39W

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SQS460EN-T1-GE3 VISHAY 单 N 沟道 60 V 0.040 Ohms 表面贴装 功率 MOSfet - 功率PAK-1212-8 查看库存、价格及货期
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Vishay Siliconix - SQS460EN-T1_GE3 - MOSFET N-CH 60V 8A
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8

型号:SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SQS460EN-T1_GE3 - Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装

制造商零件编号:
SQS460EN-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9522
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SQS460EN-T1-GE3
VISHAY SQS460EN-T1-GE3
2364138

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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SQS460EN-T1-GE3|VISHAYSQS460EN-T1-GE3
VISHAY
单 N 沟道 60 V 0.040 Ohms 表面贴装 功率 MOSfet - 功率PAK-1212-8
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SQS460EN-T1-GE3|VISHAYSQS460EN-T1-GE3
VISHAY
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SQS460EN-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSQS460EN-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET 60V 8A 39W
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SQS460EN-T1-GE3|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SQS460EN-T1-GE3
制造商型号: SQS460EN-T1-GE3
制造商: VISHAY
描述: 单 N 沟道 60 V 0.040 Ohms 表面贴装 功率 MOSfet - 功率PAK-1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
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订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.04 Ω
  • Qg Gate Charge: 20 nC
  • Rated Power Dissipation: 39 W

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