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VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Single N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 - SIS890DNT1GE3
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MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

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MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SIS890DN-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK T/R (Alt: SIS890DN-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS890DN-T1-GE3
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MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-1212

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N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

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MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

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SIS890DN-T1-GE3 VISHAY Single N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 查看库存、价格及货期
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SIS890DN-T1-GE3|VISHAYSIS890DN-T1-GE3
VISHAY		Single N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
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Vishay Siliconix - SIS890DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8

型号：SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS890DN-T1-GE3CT <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIS890DN-T1-GE3
VISHAY SIS890DN-T1-GE3		2283693

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0195 ohm, 10 V, 1.5 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SIS890DN-T1-GE3 - Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
制造商零件编号：
SIS890DN-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9395
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SIS890DN-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIS890DN-T1-GE3
制造商型号： SIS890DN-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： Single N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 23.5 mΩ
  • Qg Gate Charge: 9.5 nC
  • Rated Power Dissipation: 52 W

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