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VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - N 沟道 600 V 0.125 Ohm 250 W 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3 - SIHB30N60EGE3
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SIHB30N60E-GE3|VISHAY
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SIHB30N60E-GE3
制造商型号： SIHB30N60E-GE3
制造商： VISHAY
描述： N 沟道 600 V 0.125 Ohm 250 W 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.125 Ω
  • Qg Gate Charge: 130 nC
  • Rated Power Dissipation: 250 W

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