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VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - E-系列 N 沟道 600 V 0.38 Ohm 表面贴装 高压 功率 MOSfet - D2PAK-3 - SIHB12N60EGE3
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SIHB12N60E-GE3|VISHAY
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SIHB12N60E-GE3
制造商型号： SIHB12N60E-GE3
制造商： VISHAY
描述： E-系列 N 沟道 600 V 0.38 Ohm 表面贴装 高压 功率 MOSfet - D2PAK-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 380 mΩ
  • Qg Gate Charge: 58 nC
  • Rated Power Dissipation: 147 W

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