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VISHAY - SI9435BDY-T1-E3 - 单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 - SI9435BDYT1E3
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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

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MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

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MOSFET 30V 5.7A 2.5W

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Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

RoHS: Not Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9435BDY-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, FULL REEL

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Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET

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Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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Vishay Siliconix

MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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SI9435BDY-T1-E3 VISHAY 单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 查看库存、价格及货期
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SI9435BDY-T1-E3
VISHAY SI9435BDY-T1-E3
9453458

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W

(EN)
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SI9435BDY-T1-E3
VISHAY SI9435BDY-T1-E3
1878516

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC

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Vishay Siliconix - SI9435BDY-T1-E3 - MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO

型号:SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号:SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9435BDY-T1-E3CT
无铅
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Siliconix / Vishay - SI9435BDY-T1-E3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET|70026299 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET


型号:SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号:70026299

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SI9435BDY-T1-E3|VISHAYSI9435BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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无图SI9435BDY-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI9435BDY-T1-E3|VISHAY SILICONIXSI9435BDY-T1-E3
VISHAY SILICONIX
场效应管 MOSFET P沟道 8-SOIC
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SI9435BDY-T1-E3|Vishay SiliconixSI9435BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
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SI9435BDY-T1-E3
制造商型号: SI9435BDY-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 单 P 沟道 30 V 0.042 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.042 Ω
  • Qg Gate Charge: 24 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.3 W

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