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VISHAY - SI7866ADP-T1-E3 - N沟道 20-V (漏-源) MOSFET - SI7866ADPT1E3
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SI7866ADP-T1-E3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI7866ADP-T1-E3
制造商型号： SI7866ADP-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： N沟道 20-V (漏-源) MOSFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 2.4 mΩ
  • Qg Gate Charge: 39 nC
  • Rated Power Dissipation: 5.4 W

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