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VISHAY - SI6443DQ-T1-E3 - -30 V 8.8A 12 mOhm 漏源导通电阻 当10 V时 65 nC Qg TSSOP-8 - SI6443DQT1E3
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SI6443DQ-T1-E3
制造商型号： SI6443DQ-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： -30 V 8.8A 12 mOhm 漏源导通电阻 当10 V时 65 nC Qg TSSOP-8
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 12 mΩ
  • Qg Gate Charge: 60 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.05 W

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