VISHAY - SI5906DU-T1-GE3 - MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V - SI5906DUT1GE3
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SI5906DU-T1-GE3
- MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V - SI5906DUT1GE3
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SI5906DU-T1-GE3
制造商型号:
SI5906DU-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
31 mΩ
Qg Gate Charge:
8.6 nC
Rated Power Dissipation:
10.4 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SI5906DU-T1-GE3
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型号: SI5906DU-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V
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