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Vishay - SI5435BDC-T1-E - MOSFET,P沟道,30V,4.3A,1206-8,ChipFET - SI5435BDCT1E
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SI5435BDC-T1-E
制造商型号: SI5435BDC-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,30V,4.3A,1206-8,ChipFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间32 ns
典型接通延迟时间8 ns
典型栅极电荷@Vgs16 nC V @ 10
安装类型表面贴装
宽度1.65mm
封装类型芯片 FET
尺寸3.05 x 1.65 x 1.1mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.3 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.045 Ω
最大连续漏极电流4.3 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置六漏极、单
长度3.05mm
高度1.1mm

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