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VISHAY - SI5406CDC-T1-GE3 - 单 N沟道 12 V 0.02 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET - SI5406CDCT1GE3
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SI5406CDC-T1-GE3
制造商型号： SI5406CDC-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 单 N沟道 12 V 0.02 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.02 Ω
  • Qg Gate Charge: 18 nC
  • Rated Power Dissipation: 5.7 W

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