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VISHAY - SI4922BDY-T1-E3 - 双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 - SI4922BDYT1E3
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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

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MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)

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Vishay Intertechnologies

MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4922BDY-T1-E3)

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SI4922BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4922BDY-T1-E3)

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI4922BDY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI4922BDY-T1-E3.
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Vishay Intertechnologies

DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC

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Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel 30 V 0.016 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel 30 V 0.016 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Vishay Siliconix

MOSFET, Dual N-Channel 30-V (D-S)

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MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)

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SI4922BDY-T1-E3 VISHAY 双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 查看库存、价格及货期
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SI4922BDY-T1-E3.
VISHAY SI4922BDY-T1-E3.
2395480

VISHAY

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC

(EN)
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SI4922BDY-T1-E3
VISHAY SI4922BDY-T1-E3
1497617

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V

(EN)
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SI4922BDY-T1-E3
VISHAY SI4922BDY-T1-E3
1497617RL

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V

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Vishay Siliconix - SI4922BDY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO

型号:SI4922BDY-T1-E3
仓库库存编号:SI4922BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4922BDY-T1-E3CT
无铅
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双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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Siliconix / Vishay - SI4922BDY-T1-E3 - Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET|70026232 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET; Dual N-Channel 30-V (D-S)


型号:SI4922BDY-T1-E3
仓库库存编号:70026232

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SI4922BDY-T1-E3|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4922BDY-T1-E3
制造商型号: SI4922BDY-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 双通道 N 沟道 30 V 0.016 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.016 Ω
  • Qg Gate Charge: 50 nC
  • Rated Power Dissipation: 6 W

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