创唯电子
VISHAY - SI4866BDY-T1-GE3 - 12V 21.5 A 5.3 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 52 nC Qg SO-8 - SI4866BDYT1GE3
库存查询
您现在的位置： 首页 > 制造商索引 > VISHAY - SI4866BDY-T1-GE3 - 12V 21.5 A 5.3 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 52 nC Qg SO-8 - SI4866BDYT1GE3
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI4866BDY-T1-GE3
制造商型号： SI4866BDY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 12V 21.5 A 5.3 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 52 nC Qg SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.0053 Ω
  • Qg Gate Charge: 80 nC
  • Rated Power Dissipation: 4.45 W

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI4866BDY-T1-GE3
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: SI4866BDY-T1-GE3
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话：400-900-3095 邮箱：sales@szcwdz.com QQ：800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号