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VISHAY - SI4569DY-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET NP沟道 40V SO8 - SI4569DYT1GE3
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SI4569DY-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI4569DY-T1-GE3
制造商型号： SI4569DY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET NP沟道 40V SO8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET NP沟道 40V SO8
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 7.6A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS（上）: 22mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 3.1W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 7.6A
  • 电压, Vgs 最高: 16V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI4569DY-T1-GE3
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