PDF查询| 典型关断延迟时间 | 30（P 沟道）ns，31（N 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 23（P 沟道）ns，74（N 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ -20 V（P 沟道），8 nC @ 20 V（N 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 355 pF @ 20 V（N 沟道），480 pF @ -20 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.75（N 沟道）W，2.95（P 沟道）W | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 40（N 沟道）V，-40（P 沟道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.122（P 沟道）Ω，070（N 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -4.4（P 沟道）A，5（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
