PDF查询| 典型关断延迟时间 | 31（N 沟道）ns，55（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20（P 沟道）ns，35（N 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 4.5 V（N 沟道），6 nC @ 4.5 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC N | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.02（N 沟道）Ω，0.06（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.8（P 沟道）A，6.6（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 共四漏极、双 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.55mm |
