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VISHAY - SI4493DY-T1-GE3 - p 沟道 20 V 0.00775 Ohm 1.5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 - SI4493DYT1GE3
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SI4493DY-T1-GE3
制造商型号： SI4493DY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： p 沟道 20 V 0.00775 Ohm 1.5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.00775 Ω
  • Qg Gate Charge: 110 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.5 W

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