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Vishay - SI4134DY-T1-GE - MOSFET,N沟道,30V,9.9A,SOIC8 - SI4134DYT1GE
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SI4134DY-T1-GE
制造商型号: SI4134DY-T1-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,30V,9.9A,SOIC8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间13 ns, 14 ns
典型接通延迟时间15 ns, 9 ns
典型栅极电荷@Vgs15.4 nC V @ 10, 7.3 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds846 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC N
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2500 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.014 Ω
最大连续漏极电流9.9 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度1.5mm

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