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VISHAY - SI4114DY-T1-GE3 - 20 V 20 A 6 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 27.5 nC Qg SO-8 - SI4114DYT1GE3
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SI4114DY-T1-GE3|VISHAY
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SI4114DY-T1-GE3
制造商型号： SI4114DY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 20 V 20 A 6 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 27.5 nC Qg SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 6 mΩ
  • Qg Gate Charge: 95 nC
  • Rated Power Dissipation: 5.7 W

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