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VISHAY - SI3447BDV-T1-E3 - 单 P 沟道 12 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6 - SI3447BDVT1E3
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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP0
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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP0
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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP0
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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 5.2A 2W

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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET, 12V P-CH 95 MOHM @ 1.8V VGS Rated Trench

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SI3447BDV-T1-E3
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Vishay Semiconductors  

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SI3447BDV-T1-E3 VISHAY 单 P 沟道 12 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6 查看库存、价格及货期
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SI3447BDV-T1-E3|VISHAYSI3447BDV-T1-E3
VISHAY
单 P 沟道 12 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
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Siliconix / Vishay - SI3447BDV-T1-E3 - 12V P-CH 95 MOHM @ 1.8V VGS Rated Trench MOSFET|70026200 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET; 12V P-CH 95 MOHM @ 1.8V VGS Rated Trench


型号:SI3447BDV-T1-E3
仓库库存编号:70026200

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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
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SI3447BDV-T1-E3
VISHAY SI3447BDV-T1-E3
1213158

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 4.5 A, -12 V, 0.033 ohm, -4.5 V, -1 V

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单 P 沟道 12 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
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Vishay Siliconix - SI3447BDV-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.5A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP

型号:SI3447BDV-T1-E3
仓库库存编号:SI3447BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3447BDV-T1-E3CT <br>

无铅
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SI3447BDV-T1-E3|VISHAY
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SI3447BDV-T1-E3
制造商型号: SI3447BDV-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 单 P 沟道 12 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.04 Ω
  • Qg Gate Charge: 14 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.1 W

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