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Vishay - SI3441BDV-T1-GE - MOSFET,P沟道,20V,2.45A,TSOP6 - SI3441BDVT1GE
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SI3441BDV-T1-GE
制造商型号: SI3441BDV-T1-GE
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,20V,2.45A,TSOP6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间30 ns
典型接通延迟时间15 ns
典型栅极电荷@Vgs5.2 常闭 V @ 4.5
安装类型表面贴装
宽度1.65mm
封装类型TSOP
尺寸3.05 x 1.65 x 1mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.86 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.09 Ω
最大连续漏极电流2.45 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单
长度3.05mm
高度1mm

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