Vishay - SI2325DS-T1-E - MOSFET,P沟道,150V,0.53A,SOT23 - SI2325DST1E
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SI2325DS-T1-E
- MOSFET,P沟道,150V,0.53A,SOT23 - SI2325DST1E
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SI2325DS-T1-E
制造商型号:
SI2325DS-T1-E
制造商:
Vishay
描述:
MOSFET,P沟道,150V,0.53A,SOT23
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs
7.7 常闭 V @ 10
安装类型
表面贴装
宽度
1.4mm
封装类型
TO-236
尺寸
3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目
3
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
0.75 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
150 V
最大漏源电阻值
1.2 Ω
最大连续漏极电流
0.53 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
P
配置
单
长度
3.04mm
高度
1.02mm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SI2325DS-T1-E
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SI2325DS-T1-E 品牌: Vishay 备注: MOSFET,P沟道,150V,0.53A,SOT23
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Q Q:
800152669
手机网站:
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电话:400-900-3095 邮箱:
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QQ:
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