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Vishay - SI2308DS-T1-E - MOSFET,N沟道,60V,2A,TO236 - SI2308DST1E
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SI2308DS-T1-E
制造商型号: SI2308DS-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,60V,2A,TO236
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间17 ns
典型接通延迟时间7 ns
典型栅极电荷@Vgs4.8 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds240 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型TO-236
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.25 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.16 Ω
最大连续漏极电流2 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度3.04mm
高度1.02mm

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