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VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET P沟道 8V 5.8A SOT23 - SI2305CDST1GE3
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SI2305CDS-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI2305CDS-T1-GE3
制造商型号： SI2305CDS-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 8V 5.8A SOT23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 8V 5.8A SOT23
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -5.8A
  • 漏源电压, Vds: -8V
  • 在电阻RDS（上）: 28mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 功耗, Pd: 960mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: -5.8A
  • 电压, Vgs 最高: 8V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI2305CDS-T1-GE3
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