VISHAY - SI1972DH-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 1.3A SC70 - SI1972DHT1E3
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- 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 1.3A SC70 - SI1972DHT1E3
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SI1972DH-T1-E3
制造商型号:
SI1972DH-T1-E3
制造商:
VISHAY
描述:
场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 1.3A SC70
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 1.3A SC70
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 1.3A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 155mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2.8V
功耗, Pd: 1.25W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
功耗, Pd: 1.25W
工???温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双
漏极电流, Id 最大值: 1.3A
漏源电压 Vds, N沟道: 30V
连续漏极电流 Id, N沟道: 1.3A
通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.19ohm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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www.szcwdz.com.cn
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型号: SI1972DH-T1-E3 品牌: VISHAY 备注: 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 1.3A SC70
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800152669
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