Vishay - SI1912EDH-T1-E - MOSFET,N沟道,20V,1.13A,SC-70-6 - SI1912EDHT1E
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SI1912EDH-T1-E
- MOSFET,N沟道,20V,1.13A,SC-70-6 - SI1912EDHT1E
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SI1912EDH-T1-E
制造商型号:
SI1912EDH-T1-E
制造商:
Vishay
描述:
MOSFET,N沟道,20V,1.13A,SC-70-6
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间
350 ns
典型接通延迟时间
45 ns
安装类型
表面贴装
宽度
1.25mm
封装类型
SOT-363
尺寸
2.05 x 1.25 x 0.9mm
引脚数目
6
最低工作温度
-55 °C
最大栅源电压
±12 V
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
0.28 Ω
最大连续漏极电流
1.13 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
2
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
双
长度
2.05mm
高度
0.9mm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SI1912EDH-T1-E
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: SI1912EDH-T1-E 品牌: Vishay 备注: MOSFET,N沟道,20V,1.13A,SC-70-6
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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