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Vishay - SI1470DH-T1-E - MOSFET,N沟道,30V,3.8A,SC-70-6 - SI1470DHT1E
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SI1470DH-T1-E
制造商型号: SI1470DH-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,30V,3.8A,SC-70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间18 ns
典型接通延迟时间9 ns
典型栅极电荷@Vgs4.85 nC V @ 4.5, 5 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds510 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度1.25mm
封装类型SC-70,SOT-363
尺寸2 x 1.25 x 1mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.5 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.066 Ω
最大连续漏极电流3.8 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单
长度2mm
高度1mm

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