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Vishay - SI1417EDH-T1-E - MOSFET,P沟道,12V,2.7A,SC-70-6 - SI1417EDHT1E
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SI1417EDH-T1-E
制造商型号: SI1417EDH-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,12V,2.7A,SC-70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间4900 ns
典型接通延迟时间600 ns
典型栅极电荷@Vgs5.8 nC V @ 4.5
安装类型表面贴装
宽度1.25mm
封装类型SOT-363
尺寸2.05 x 1.25 x 0.9mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压12 V
最大漏源电阻值0.085 Ω
最大连续漏极电流2.7 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单
长度2.05mm
高度0.9mm

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