| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLZ24PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Tape and Reel (Alt: IRLZ24PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRLZ24PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRLZ24PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRLZ24PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRLZ24PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLZ24PB | Vishay | MOSFET，N沟道，60V，17A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLZ24PB Vishay | MOSFET，N沟道，60V，17A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLZ24PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRLZ24PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLZ24PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLZ24PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| IRLZ24PB Vishay | MOSFET，N沟道，60V，17A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLZ24PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLZ24PBF | 1013457 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 100 mohm, 5 V, 2 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB 型号：IRLZ24PBF 仓库库存编号：IRLZ24PBF-ND 别名：*IRLZ24PBF <br> | | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLZ24PBF 品牌： Vishay 库存编号： 708-4888 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay PCS IRLZ24PBF N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB 型号：IRLZ24PBF 仓库库存编号：70079099 |  | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 870 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 60000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm |
