| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLL110TRPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLL110PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLL110PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 3.1 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLL110PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-261AA
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| IRLL110PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-261AA
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLL110PB | Vishay | MOSFET，N沟道，100V，1.5A，SOT223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLL110PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-2509 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLL 110PBF Vishay BC Components | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRLL110PB Vishay | MOSFET，N沟道，100V，1.5A，SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLL110PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Vishay MOSFET N, 100 V 1.5 A 3.1 W SOT-223, IRLL110PBF, Vishay 型号：IRLL110PBF 仓库库存编号：171-15-217 |  | 搜索 |
| Vishay MOSFET N, 100 V 1.5 A 3.1 W SOT-223, IRLL110PBF, Vishay 型号：IRLL110PBF 仓库库存编号：171-15-217 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRLL110PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRLL110PBF VISHAY | 单 N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-223-3 | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLL110PBF VISHAY SILICONIX | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLL110PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N SOT-223 100V 1.5A | 查价格库存 查看详细 |
| IRLL110PB Vishay | MOSFET，N沟道，100V，1.5A，SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLL110PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLL110PBF | 1704016 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V (EN) | 搜索 |
IRLL110PBF | 8651213 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.3 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 250 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.45mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.54 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.45mm |
