| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 常闭 V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 封装类型 | HexDIP，HVMDIP | |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω0.5 | |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 3.37mm |
