Vishay - 2N6661-E - MOSFET,N沟道,90V,0.86A,TO205AD - 2N6661E
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2N6661-E
制造商型号:
2N6661-E
制造商:
Vishay
描述:
MOSFET,N沟道,90V,0.86A,TO205AD
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
典型输入电容值@Vds
35 pF V @ 24
安装类型
通孔
宽度
8.15mm
封装类型
TO-205AD
尺寸
9.4 x 8.15 x 6.6mm
引脚数目
3
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
6250 mW
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
90 V
最大漏源电阻值
4 Ω
最大连续漏极电流
0.9 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
单
长度
9.4mm
高度
6.6mm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
2N6661-E
旗下站点
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型号: 2N6661-E 品牌: Vishay 备注: MOSFET,N沟道,90V,0.86A,TO205AD
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Q Q:
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