Vishay Semiconductors - SISA12ADN-T1-GE3 - MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch - SISA12ADNT1GE3
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SISA12ADN-T1-GE3
- MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch - SISA12ADNT1GE3
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SISA12ADN-T1-GE3
制造商型号:
SISA12ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
汲极/源极击穿电压:
30 V
漏极连续电流:
22 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
0.0043 mOhms at 10 V
封装 / 箱体:
PowerPAK 1212-8
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SISA12ADN-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SISA12ADN-T1-GE3 品牌: Vishay Semiconductors 备注: MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch
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MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV
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