Vishay Semiconductors - SIHD6N65E-GE3 - MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS - SIHD6N65EGE3
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SIHD6N65E-GE3
- MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS - SIHD6N65EGE3
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SIHD6N65E-GE3
制造商型号:
SIHD6N65E-GE3
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
650 V
漏极连续电流:
7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
600 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263
封装:
Bulk
下降时间:
20 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
2 S
栅极电荷 Qg:
48 nC
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
78 W
上升时间:
12 ns
系列:
E
典型关闭延迟时间:
30 ns
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SIHD6N65E-GE3
旗下站点
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型号: SIHD6N65E-GE3 品牌: Vishay Semiconductors 备注: MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
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800152669
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