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Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6480HE3/97 - DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB - 1N6480HE397
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1N6480HE3/97|Vishay Semiconductor Diodes Division
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1N6480HE3/97
制造商型号: 1N6480HE3/97
制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
描述: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 1N6478 thru 1N6484
Packaging Information
产品相片 DO-213AB
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭单二极管/整流器
系列SUPERECTIFIER®
包装  带卷 (TR)  
二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
不同?Vr、F 时的电容8pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-213AB,MELF
供应商器件封装DO-213AB

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