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VISHAY SILICONIX - SUR50N03-06P - 场效应??? MOSFET N D-PAK - SUR50N0306P
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SUR50N03-06P|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SUR50N03-06P
制造商型号： SUR50N03-06P
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应??? MOSFET N D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 84A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 6.5mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 88W
  • ??作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-252
  • SMD标号: SUR50N03-06P
  • 功耗, Pd: 88W
  • 功耗, Pd: 88W
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: D-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 84A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 100A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 6.5mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 9.5mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 3V
产地： TW Taiwan

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