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VISHAY SILICONIX - SUM60P05-11LT - 场效应管 MOSFET P D2-PAK - SUM60P0511LT
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SUM60P05-11LT|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SUM60P05-11LT
制造商型号： SUM60P05-11LT
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P D2-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P D2-PAK
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 60A
  • 漏源电压, Vds: 55V
  • 在电阻RDS（上）: 11mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -1V
  • 功耗, Pd: 200W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 5
  • SMD标号: SUM60P05-11LT
  • 停止工作温度: 175°C
  • 功耗(于1平方英寸PCB): 3.75W
  • 功耗, Pd: 200W
  • 功耗, Pd: 200W
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 封装类型, 其它: D2-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 180mJ
  • 漏极电流, Id 最大值: -60A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
  • 电压, Vds 典型值: -55V
  • 电压, Vgs 最高: -20V
  • 电流, Idm 脉冲: 250A
  • 结温, Tj 最大值: 175°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: -1V
产地： TW Taiwan

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