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VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK - SUD50NP0494T4E3
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SUD50NP04-94-T4-E3|VISHAY SILICONIX
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SUD50NP04-94-T4-E3
制造商型号： SUD50NP04-94-T4-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS（上）: 41mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
  • 功耗, Pd: 15.6W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 5
  • 功耗, Pd: 15.6W
  • 功耗, Pd: 15.6mW
  • 器件标号: 50
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 8nC
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 9nC
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 8A
  • 漏极连续电流, Id N沟道: 8A
  • 漏极连续电流, Id P沟道: 8A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 40V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -40V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds N沟道 1: 40V
  • 电???, Vds P沟道 1: 40V
  • 电压, Vds 典型值: 40V
  • 电流, Idm 脉冲: 35A
  • 脉冲电流, Idm N沟道: 35A
  • 脉冲电流, Idm P沟道: 35A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 8A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -8A
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 41mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 45mohm
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.034ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.044ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1.7V
产地： TW Taiwan

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