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VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK - SUD50NP0462T4E3
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SUD50NP04-62-T4-E3|VISHAY SILICONIX
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SUD50NP04-62-T4-E3
制造商型号: SUD50NP04-62-T4-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS(上): 30mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 23.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 5
  • 功耗, Pd: 23.5W
  • 功耗, Pd: 23.5mW
  • 器件标号: 50
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 9.6nC
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 21nC
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 8A
  • 漏极连续电流, Id N沟道: 8A
  • 漏极连续电流, Id P沟道: 8A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 40V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -40V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds N沟道 1: 40V
  • 电压, Vds P沟道 1: 40V
  • 电压, Vds 典型值: 40V
  • 电流, Idm 脉冲: 35A
  • 脉冲电流, Idm N沟道: 35A
  • 脉冲电流, Idm P沟道: 35A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 8A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -8A
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 30mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 34mohm
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.025ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.026ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 100V
产地: TW Taiwan

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