创唯电子
VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK - SUD50NP0462T4E3
库存查询
您现在的位置： 首页 > 制造商索引 > VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK - SUD50NP0462T4E3
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
SUD50NP04-62-T4-E3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SUD50NP04-62-T4-E3
制造商型号： SUD50NP04-62-T4-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS（上）: 30mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 23.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 5
  • 功耗, Pd: 23.5W
  • 功耗, Pd: 23.5mW
  • 器件标号: 50
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 9.6nC
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 21nC
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 8A
  • 漏极连续电流, Id N沟道: 8A
  • 漏极连续电流, Id P沟道: 8A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 40V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -40V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds N沟道 1: 40V
  • 电压, Vds P沟道 1: 40V
  • 电压, Vds 典型值: 40V
  • 电流, Idm 脉冲: 35A
  • 脉冲电流, Idm N沟道: 35A
  • 脉冲电流, Idm P沟道: 35A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 8A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -8A
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 30mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 34mohm
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.025ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.026ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 100V
产地： TW Taiwan

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SUD50NP04-62-T4-E3
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: 暂无相关型号
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话：400-900-3095 邮箱：sales@szcwdz.com QQ：800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号