| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SUD50N10-18P-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SUD50N10-18P-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SUD50N10-18P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.2A（Ta），50A（Tc） 3W（Ta），136.4W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：SUD50N10-18P-E3 仓库库存编号：SUD50N10-18P-E3-ND | 无铅 |
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 | SUD50N10-18P-E3 VISHAY | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOS  | 查价格库存 查看详细 |
 | SUD50N10-18P-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V TO252 | 查价格库存 查看详细 |
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| SUD50N10-18P-E3 VISHAY | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOS | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SUD50N10-18P |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.2A （Ta）， 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
