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Vishay Siliconix - SQJ461EP-T1-GE3 - MOSFET P-CH D-S 60V TO252 - SQJ461EPT1GE3
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SQJ461EP-T1-GE3|Vishay Siliconix
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SQJ461EP-T1-GE3
制造商型号: SQJ461EP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH D-S 60V TO252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SQJ461EP
产品相片 TO-263
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)16 毫欧 @ 14.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4710pF @ 30V
功率 - 最大值83W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SQJ461EP-T1-GE3
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