| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SQD50N06-09L_GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SQD50N06-09L_GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified RoHS: Compliant | 搜索 |
| SQD50N06-09L-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SQD50N06-09L_GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD50N06-09L_GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
| SQD50N06-09L_GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD50N06-09L-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SQD50N06-09L-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SQD50N06-09L-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SQD50N06-09L-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET,N CH,W DIODE,60V,50A,TO-252
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SQD50N06-09L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V 50A TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SQD50N06-09L-GE3 | 1869919 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V  (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A 详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：SQD50N06-09L_GE3 仓库库存编号：SQD50N06-09L_GE3CT-ND 别名：SQD50N06-09L_GE3CT | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SQD50N06-09L-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 60V 50A TO252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SQD50N06-09L-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V 50A TO252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SQD50N06-09L-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V 50A TO252 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SQD50N06-09L |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3065pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 136W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
