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VISHAY SILICONIX - SQD40N06-14L-GE3 - MOSFET 55V 40A 75W - SQD40N0614LGE3
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SQD40N06-14L-GE3|VISHAY SILICONIX
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SQD40N06-14L-GE3
制造商型号: SQD40N06-14L-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 55V 40A 75W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:40 A
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-252
封装:Reel
下降时间:9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :52 S
栅极电荷 Qg:34 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:75 W
上升时间:13 ns
系列:TrenchFET
典型关闭延迟时间:22 ns

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