数据列表 | SQ3460EV |
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特色产品 | SQ Series Power MOSFETs |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1060pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SQ3460EV-T1-GE3TR SQ3460EVT1GE3 |