数据列表 | SIZ728DT |
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产品相片 | SIZ728DT-T1-GE3 |
特色产品 | PowerPAIR? |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 16A,35A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.7 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 890pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 27W,48W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-PowerPair? |
供应商器件封装 | 6-PowerPair? |
其它名称 | SIZ728DT-T1-GE3TR SIZ728DTT1GE3 |