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VISHAY SILICONIX - SISA18DN-T1-GE3 - MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 - SISA18DNT1GE3
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SISA18DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SISA18DN-T1-GE3
制造商型号： SISA18DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:2.4 V
漏极连续电流:38.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:7.5 mOhms
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:14 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :54 S
栅极电荷 Qg:6.9 nC
功率耗散:19.8 W
上升时间:20 ns
商标名:TrenchFET Gen IV
典型关闭延迟时间:30 ns

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