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VISHAY SILICONIX - SIS778DN-T1-GE3 - MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts - SIS778DNT1GE3
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SIS778DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIS778DN-T1-GE3
制造商型号: SIS778DN-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :60 S
栅极电荷 Qg:27.5 nC
功率耗散:52 W
上升时间:12 ns
典型关闭延迟时间:20 ns
零件号别名:SIS778DN-GE3

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