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Vishay Siliconix - SIS415DNT-T1-GE3 - MOSFET P CH 20V22.6A 1212-8 - SIS415DNTT1GE3
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SIS415DNT-T1-GE3|Vishay Siliconix
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SIS415DNT-T1-GE3
制造商型号: SIS415DNT-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P CH 20V22.6A 1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SIS415DNT
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)22.6A (Ta), 35A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5460pF @ 10V
功率 - 最大值3.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8
其它名称SIS415DNT-T1-GE3TR

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